Diameter | 4"
| 5"
| 6"
| 8"
|
Epitaxy-Layer | Dopant | Boron, Phos, Arsenic |
Orientation | <100>, <111> |
Type | P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+ |
Resistivity | 0.001-1000 Ohm-cm |
Res. Uniformity | Standard <6%, Maximum Capabilities <2% |
Thickness(um) | 0.1-150 |
Thickness Uniformity | Standard <3%, Maximum Capabilities <1% |
Substrate | Orientation | <100>, <111> |
Type/Dopant | P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
Thickness (um) | 300-725 |
Resistivity | 0.001-100 Ohm-cm |
Surface Finished | P/P, P/E |
Particle | <30@.0.5um |
外延片(EPI)指的是在襯底上生長出的半導體薄膜,薄膜主要由P型,量子阱,N型三個部分構成。現在主流的外延材料是氮化鎵(GaN),襯底材料主要有藍寶石。硅,碳化在三種,量子阱般為5個通常用的生產工藝為金屬有機物氣相外延(MOCVD),這是LED產業的核心部分,需要較高的技術以及較大的資金投入。
目前在硅襯底上可以做普通外延層,多層結構外延層,超高阻外延層,超厚外延層,外延層電阻率可達一千歐姆以上,導電類型為:P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多種類型。
硅外延晶片是用于制造廣泛的半導體器件的核心材料,在消費、工業、軍事和空間電子學中都有應用。